Theo SamMobile, vào đầu tuần này, Qualcomm đã tiết lộ vi xử lý điện thoại thông minh hàng đầu của công ty là Snapdragon 8 Gen 3. Được biết, con chip mạnh mẽ này có thể tương thích với hai loại vi xử lý bộ nhớ tiên tiến nhất hiện nay là DRAM LPDDR5X và DRAM LPDDR5T.
Đối với LPDDR5X, đây là loại bộ nhớ RAM được sản xuất bởi , từng được mệnh danh là chip DRAM có tốc độ nhanh nhất thế giới. Nhưng giờ đây, đối thủ SK Hynix của công ty tại quê hương Hàn Quốc đã cho ra lò chip DRAM LPDDR5T, có tốc độ vượt trội hơn cả LPDDR5X của Samsung và hiện đã sẵn sàng cho những chiếc điện thoại thông minh cao cấp thế hệ tiếp theo.
SK Hynix thông báo rằng chip DRAM LPDDR5T của họ đã hoàn thành quá trình kiểm tra khả năng tương thích với Snapdragon 8 Gen 3. Những chip này đã được công bố vào tháng 1/2023 và hiện đã sẵn sàng cho điện thoại thông minh cao cấp.
DRAM LPDDR5T sẽ được đóng gói với dung lượng 16GB và đạt tốc độ dữ liệu tối đa 9,6Gbps, nhanh hơn khoảng 12,5% so với DRAM LPDDR5X (8,5Gbps). SK Hynix cũng công bố rằng các chip nhớ mới của họ sẽ tiết kiệm năng lượng tốt nhất trong phân khúc, hoạt động ở điện áp rất thấp chỉ từ 1,01-1,12V, theo quy định của JEDEC (Hội đồng Kỹ thuật Thiết bị Điện tử Chung).
SK Hynix đã áp dụng công nghệ HKMG (High K Metal Gate) để tăng cường hiệu năng và hiệu quả của chip RAM LPDDR5T. Những chip này đang hoạt động ở mức điện áp thấp hơn 10% so với LPDDR5X. Công ty mong muốn rằng các chip mới này sẽ chiếm được một phần thị trường đáng kể trước khi tiêu chuẩn DRAM LPDDR6 mới được ra mắt.
