Intel Foundry đã đạt được một bước tiến quan trọng trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn khi hoàn thiện máy quang khắc siêu cực tím (EUV) sử dụng công nghệ khẩu độ số học lớn (High NA) lần đầu tiên trong ngành, được triển khai tại nhà máy của Intel ở Hillsboro, Oregon, Mỹ.
Được phát triển bởi công ty sản xuất thiết bị quang khắc ASML, hệ thống High NA EUV của Intel hiện đang trong quá trình hiệu chuẩn để sẵn sàng cho lộ trình sản xuất sắp tới của hãng. Điểm đặc biệt của hệ thống nằm ở khả năng thu nhỏ các chi tiết trên những thế hệ vi xử lý tiếp theo, nhờ thiết kế quang học tiên tiến cho việc in bản mạch lên các tấm bán dẫn silicon (wafer) trở nên chính xác hơn, làm tiền đề cho sự ra đời của những bộ vi xử lý thế hệ mới mạnh mẽ hơn.
Theo Intel, việc sử dụng công nghệ High NA EUV giúp họ sở hữu hệ thống quang khắc toàn diện nhất trong ngành. Điều này giúp Intel phát triển những tiến trình tương lai vượt trội hơn Intel 18A trong nửa sau của thập kỷ này.
Trước đó, ASML đã công bố việc sử dụng phương pháp quang khắc để tạo ra các đường mạch chỉ dày 10 nanomet (nm) đầu tiên tại phòng thí nghiệm High NA tại trụ sở chính ở Veldhoven, Hà Lan. Đây là những đường mạch tối ưu nhất được in ra từ trước đến nay, thiết lập kỷ lục thế giới về độ phân giải tạo ra từ hệ thống quét quang khắc siêu cực tím (EUV lithography scanner).
Sau khi hoàn thành vòng hiệu chuẩn ban đầu, những hình ảnh ấn tượng đã được in ra từ bộ phận quang học, cảm biến và bệ đỡ của hệ thống. Điều này đánh dấu một bước quan trọng để hệ thống hoạt động ở hiệu suất tối đa. Việc in các đường mạch chỉ dày 10nm của ASML bằng hệ thống quang khắc toàn trường (full field) được xem là một bước tiến quan trọng trong việc áp dụng công nghệ High NA EUV vào các hoạt động thương mại.
Bằng việc kết hợp với các công nghệ tiên tiến khác của Intel Foundry, công nghệ High NA EUV có khả năng in ra các chi tiết với kích thước nhỏ hơn 1,7 lần so với các công cụ EUV hiện tại. Điều này giúp thu nhỏ các chi tiết 2D, tăng mật độ bóng bán dẫn lên 2,9 lần. Nhờ đó, Intel tiếp tục dẫn đầu trong việc phát triển các vi mạch có kích thước nhỏ hơn, mật độ cao hơn, đồng thời đóng góp vào việc phát triển định luật Moore trong lĩnh vực sản xuất bán dẫn.
So với công nghệ 0.33NA EUV, công nghệ High NA EUV (hoặc 0.55NA EUV) mang lại độ tương phản hình ảnh cao hơn trên cùng chi tiết. Do đó, công nghệ này sử dụng ít ánh sáng hơn trong mỗi lần phơi sáng nhằm giảm thời gian cần thiết để in từng lớp và tăng sản lượng tấm bán dẫn.
Intel dự kiến sử dụng đồng thời cả hai hệ thống 0.33NA EUV và 0.55NA EUV cùng với các hệ thống quang khắc khác trong quá trình phát triển và sản xuất chip tiên tiến hơn, bắt đầu từ việc thử nghiệm trên tiến trình Intel 18A vào năm 2025, sau đó tiếp tục áp dụng vào sản xuất tiến trình Intel 14A. Bằng cách này, Intel nhằm mục tiêu tối ưu hóa chi phí và hiệu năng cho công nghệ sản xuất tiên tiến của mình.
