Theo các nguồn tin, máy phơi sáng NSR-S636E của Nikon được thông báo có sử dụng thiết kế iAS tiên tiến, cho phép đo lường với độ chính xác cao, hiệu chỉnh cong vênh và biến dạng hình tròn và có độ chính xác cao hơn trong việc phủ lớp (MMO), không vượt quá 2,1 nm. Máy có độ phân giải dưới 38 nm, khẩu độ ống kính đạt 1,35 và khu vực phơi sáng là 26x33 mm.
So với mẫu hiện tại, mức độ sản xuất tổng thể của máy có thể được tăng lên 10-15%, đặt ra một cột mốc mới cho công nghệ in tấm bán dẫn của Nikon. Máy có thể sản xuất 280 tấm bán dẫn mỗi giờ và có thời gian ngừng hoạt động ngắn hơn.
Nikon cũng cho biết rằng, máy in thạch bản mới có thể cung cấp hiệu suất cao hơn trong quá trình sản xuất chất bán dẫn đòi hỏi lớp phủ cao chính xác, đặc biệt là trong việc sản xuất các sản phẩm bán dẫn 3D như logic và bộ nhớ tiên tiến, cảm biến hình ảnh CMOS và bộ nhớ flash 3D, và có thể coi là giải pháp tốt nhất. Đáng chú ý là điều này không ảnh hưởng đến hiệu quả sản xuất.
Một nguồn sáng mới của máy in thạch bản Nikon là i-Line, công nghệ đã được phát triển từ những năm 1990. Cùng với sự trưởng thành của các thành phần và công nghệ liên quan, giá thành của máy in này sẽ giảm khoảng 20-30% so với các sản phẩm cạnh tranh. Tuy nhiên, vẫn không rõ máy in NSR-S636E có thể tạo ra chip với kích thước bao nhiêu nanomet.
Các công ty Nhật đang nỗ lực làm giảm khoảng cách với ASML.
Các công ty Nikon, Canon của Nhật Bản và ASML của Hà Lan trước kia là ba tập đoàn hàng đầu về máy in thạch bản. Tuy nhiên, do lựa chọn giải pháp công nghệ không chính xác và không theo kịp công nghệ in thạch bản nhúng 193nm của ASML, các công ty Nhật Bản đang dần mất đi vị thế của mình, đặc biệt là trong lĩnh vực công nghệ in thạch bản tia cực tím (EUV).
Để tồn tại, Nikon và Canon về cơ bản đã bỏ qua việc cạnh tranh về công nghệ in lithography tiên tiến và tập trung nhiều hơn vào các thiết bị in lithography quy trình trưởng thành, dễ sản xuất hơn và giá rẻ hơn. Bên cạnh đó, Canon cũng đã phát triển công nghệ in nano (NIL) để sản xuất chip 5nm không cần EUV.
